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HUSTEC-5000功率器件参数及图示测试系统

HUSTEC-5000功率器件参数及图示测试系统

[IGBT测试仪

IGBT测试仪设备

大功率IGBT测试仪

大功率IGBT测试设备]

深圳市HUSTEC-5000厂家

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详细信息(HUSTEC-5000功率器件参数及图示测试系统)
  • 品牌: 其他
  • 型号: HUSTEC-5000
  • 加工定制:
  • 类型: 电参数测量仪
  • 测量精度: ±1%
  • 频率: 50HZ
  • 重量: 30kg
  • 尺寸: 500(宽)x 450(深)x 250(

HUSTEC-5000         

功率器件参数及图示测试系统


1.1 系统概述

HUSTEC-5000是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统,本系统可自动生成功率器件的I-V曲线,也可根据客户的实际需求设置功能测试,直接读取数显结果。系统在失效分析,IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立,保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来,数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究,是一款多功能的半导体测试设备。


本系统使用方便,只需要通过USB或者RS232与电脑连接,通过电脑中友好的人机界面操作,即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCELWORD的格式保存。系统提供过电保护功能,门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。


1.2 HUSTEC-5000测试仪指标

技术指标

主极参数

控制极参数

指标

标配

指标

标配

主极电压:

1mV-2000V

①控制极电压:

100mV-20V

②电压分辨率:

1mV

②电压分辨率:

1mV

主极电流

0.1nA-100A

可扩展1250A

③控制极电流:

100nA-10A

④电流分辨率:

0.1nA

⑤测试精度

0.2%+2LSB

⑥测试速度

0.5mS/参数





1.3  HUSTEC-5000测试系统是一套高速多用途半导体分立器件智能测试系统,它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力,可真实准确测试下列各种大、中、小功率的半导体分立器件。


测试范围 / 测试参数

序号

测试器件

测试参数

01

绝缘栅双极大功率晶体管

IGBT

ICESIGESFIGESRBVCESVGETHVCESATICON

VGEONVFGFS

02

MOS场效应管 

MOS-FET

IDSSIDSVIGSSF  IGSSRVGSFVGSRBVDSS

VGSTHVDSONVF(VSD) IDONVGSONRDSONGFS

03

J型场效应管

J-FET

IGSSIDOFFIDGOBVDGOBVGSSVDSONVGSON

IDSSGFSVGSOFF

04

二极管

DIODE

IRBVR VF

05

晶体管

NPN/PNP型)

ICBOICEOICER ICES ICEVIEBOBVCEO BVCBO

BVEBOHFEVCESATVBESATVBE(VBEON)REVF

06

双向可控硅

TRIAC

VD+VD-VT+ VT-IGTVGT IL+IL-IH+IH-

07

可控硅

SCR

IDRMIRRMIGKOVDRMVRRMBVGKOVTM

IGTVGTILIH

08

硅触发可控硅

STS

IH+ IH-VSW+ VSW-VPK+

 VPK-VGSW+VGSW-

09

达林顿阵列

DARLINTON

ICBO ICEOICERICESICEXIEBOBVCEO

BVCERBVCEEBVCES BVCBOBVEBOhFE

VCESAT VBESATVBEON

10

光电耦合

OPTO-COUPLER

ICOFFICBOIRBVCEOBVECOBVCBOBVEBO

CTRHFEVCESAT VSATVF(Opto-Diode)

11

继电器

RELAY

RCOILVOPERVRELRCONTOPTIME RELTIME

12

稳压、齐纳二极管

ZENER

IRBVZVFZZ

13

三端稳压器

REGULATOR

VoutIin

14

光电开关

OPTO-SWITCH

ICOFFVDIGTVONION IOFF

15

光电逻辑

OPTO-LOGIC

IRVFVOHVOLIFON IFOFF

16

金属氧化物压变电阻

MOV

ID+ ID-VN+  VN-VC+ VCLMP-VVLMP+

17

固态过压保护器

SSOVP

ID+ ID-VCLAMP+, VCLAMP-VT+VT-IH+

IH-;;IBO+ IBO-VBO+  VBO-VZ+  VZ-

18

压变电阻

VARISTOR

ID+  ID-VC+   VC-

19

双向触发二极管

DIAC

VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,


























































1.4
系统曲线测试列举
ID vs. VDS at range of VGS            

ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD                            

RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS            

IDSS vs. VDS
HFE vs. IC                            

BVCE(O,S,R,V vs. IC
BVEBO vs. IE                         

BVCBO vs. IC
VCE(SAT vs. IC            

VBE(SAT vs. IC
VBE
ON vs. IC use VBE test     

VCE(SAT vs. IB at a range of ICVF vs. IF

1.5系统软件支持

器件测试程序的生成是通过在一台运行系统为WindowsWindowsNTPC机上接口程序实现的。该程序提供快速的器件测试程序生成,具有全屏显示和增强型编辑帮助。

 一种填空式编程方法向用户提供简明、直观的使用环境。操作人员只需在提示下,输入所选器件系列名称和测试类型,并选择所需测试的参数,而不必具有*计算机编程语言知识。完成一个器件的测试程序编制只需几分钟的时间,非常快捷方便。
2系统内部简介                                                               
2.1  概述

HUSTEC-5000测试系统通过PC机对其内部功率源、测试施加条件、测试具体线路进行控制,达到对器件进行测试的目的。在一定的测试条件下,这些源与条件负载按照条件准确的连接,其中包含了大量的负载、转换功率源和所要求的外部测试线路。

2.2大功率半导体测试系统特点:
1.图形显示功能                          
2.局部放大功能
3.程序保护*大电流/电压,以防损坏        
4.品种繁多的曲线
5.可编程的数据点对应                   
6.增加线性或对数
7.可编程延迟时间可减少器件发热          

8.保存和重新导入入口程序
9.
保存和导入之前捕获图象                

10. 曲线数据直接导入到EXCEL
11.曲线程序和数据自动存入EXCEL           
12.程序保护*大电流/电压,以防损坏
3 系统规格及技术指标                                                         
工作温度:25℃--40℃
贮存温度: -15℃-50℃
工作湿度:45%--80%
贮存湿度:10%--90%
工作电压:200v--240v
电源频率:47HZ--63HZ
接地要求:供电电源应良好接地。
通信接口:RS232 USB
系统功耗:<150w
设备尺寸:450mm×570mm×280mm
4、测试夹具、适配器
使用该系统测试二极管、齐纳二极管、三极管、场效应管、固定三端稳压器、可控硅等半导体分立器件,不需要适配器盒,只需把测试夹具插到系统前面板,把待测试的器件直接插到测试夹具上即可进行测试。

1)二极管夹具

          细引线同轴二极管测试夹具

  粗引线同轴二极管测试夹具

这两种夹具采用测试同轴引线(两端器件)二极管的插座。

DO4/5A     用于测试DO-4DO-5封装的管子,螺栓头接阳极A

DO4/5K 用于测试DO-4DO-5封装的管子,螺栓头接阴极K (极性与D4/5A不同)。

 

2)三极管夹具

TO220    用于测试TO-220封装的三极管

TO3/66   用于测试TO-3TO-66的三极管  (即F1F2封装)。

TO72     用于测试TO- 72封装的三极管,四脚插座。

TO5/18 用于测试TO-5TO-8封装的三极管,金属壳封装。

TO92          用于测试TO-92封装、基极在中央的小功率塑封三极管。

 

3) 可以提供各种表面贴封形式的分立器件的测试夹具。


4) 测试下列器件,除需要与封装对应的测试夹具外,还需选用以下测试适配器:

a)     HUSTEC-2000:  用于测试DIP4---DIP16多光耦。

b)     HUSTEC-300:   用于测试达林顿阵列(如ULN2003等)。

c)      HUSTEC-320:   用于测试三端稳压器。

d)     HUSTEC-6010:   用于多器件扫描测试。

e)     HUSTEC-390:   用于测试继电器。


5)IGBT测试夹具


5、系统主机产品详细测试参数

器件参数/技术指标                                                                   

5.1  晶体管  TRANSISTOR

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICBO  ICEO/R/S/V

IEBO

0.10V to 999V(2kV)1

0.10V to  20V( 80V)3

1nA(10pA)2

to 50mA 1nA(10pA)2to 3A

1nA(1pA)2

1%+1nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)2

BVCEO

(电流大于10mA

脉冲宽度300us)

BVCBO

BVEBO

0.10V to 450V( 900V)1

to 700V(1.4kV)1

to 1kV(2kV)1

0.10V to 999V(2kV)1

0.10V to 20V(80V)3

1nA  to 200mA

to 100mA

to  50mA

to  50mA

1nA(10pA)2to 3A

1mV

1%+10mV

1%+10mV

hFE

 (1 to 99,999)

VCE:  0.10V to 5.00V5

           to 9.99V

           to 49.9V

IC: 10uA

to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4)

to 25A(100A) (5) (625A)(4)       to 3A

IB: 1nA to 10A

0.01hFE

VCE:  1%+10mV

IC:  1%+1nA

IB:  1%+5nA

VCESAT

VBESAT

VBE(VBEON)

RE(间接参数)

VCE

0.10V   to  5.00V

to  9.99V

VBE.10V to 9.99V

IEto 49.9A(200A)(5) (1250A)(4)

to 25A(100A) (5) (625A)(4)

 IB1nA to 10A

1mV

V1%10mV

IE1%1nA

IB1%5nA

5.2二极管DIODE

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IR

0.10V to 999V(2kV)1

1nA(10pA)2  to 50mA

1nA(1pA)2

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)2

BVR

0.10V to 999V(2kV)1

1nA  to  3A

1mV

1%+10mV

VF

0.10V  to  5.00V

to  9.99V

IF: 10uA to 49.9A(200A)(5)

(1250A)(4)

to 25A(100A) (5) (625A)(4)

1mV

VF: 1%+10mV

IF: 1%+ 1nA

5.3 稳压二极管、齐纳二极管ZENER

测 试 参 数 名 称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IR

0.10V to 999V(2kV)1

1nA(10pA)2  to 50mA

1nA(1pA)2

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)2

BVZ

VzMIN

IR

0.1V to  5.000V

to  9.999V

to  50.00V

to  700V(1.4kV)(1)

to  999V(2kV)(1)

BVZ  Soak- 50V(100V)(1)

0  to 50ms  to  99sec

10uA to 49.9A(200A)(5)

(1250A)(4)

to 25A(100A) (5) (625A)(4)

to 3A  to 100mA

to 50mA

to 400mA

to 80mA

1mV

1%+10mV

VF

0.10V  to  5.00V

to  9.99V

IF:10uA

to 49.9A(200A)(5)

(1250A)(4)

to 25A(100A) (5) (625A)(4)

1mV

V: 1%+10mV

IF: 1%+ 1nA

ZZ(1kHz)

0.1Ω  to 20kΩ

0.1V  to  200VDC

50μV to  300mV RMS

100μA  to  500mA DC

0.001Ω

1μV

1%+1%量程

5.4 三端电源稳压器件REGULATOR

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

Vo

Input / Output

Regulation

(混合参数)

VO0.10V to  20V(50V)(3)

VIN0.10V to 49.9V

负载:电阻或电流型

IO 1mA to 5A

1mV

1%+10 mV

IIN

VIN0.10V to 20V(50V)(3)

负载:RGK 1kΩ、10kΩ     

外接,开路,短路

IIN1mA to 3A

10nA

1%+5nA

5.5  J型场效应管J-FET

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IGSS

IDOFFIDGO

VGS:0.10V   to  20V(80V)(3)

VDS:0.10V   to  999V(5kV)(1)

1nA(10pA) (2) 

to 3A 1nA(10pA) (2)

to 50mA

1nA(1pA)(2)

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)(2)

BVDGO

BVGSS

0.10V to 999V(2kV)(1)

0.10V to  20V(80V)(3)

1nA to  50 mA

1nA to   3A

1mV

1%+100mV

1%+10mV

VDSONVGSON

IDSSIDSON

RDSON (混合参数)

gFS (混合参数)

0.10V to 5.00V

      to 9.99V

ID: 10uA

to 49.9A(200A)(5)  (1250A)(4)

to 25A(100A) (5) (625A)(4)

IG1nA to 10A

1mV

V1%+ 10mV

ID1%+1nA

IG1%+5nA

VGSOFF

0.10V to 20V(80V)(3)

ID1nA10pA2to 3A

VD0.10V to 50V

1mV

1%10mV

5.6  MOS场效应管  MOS-FET

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IDSS/V

IGSSF  IGSSR

VGSF  VGSR

0.10V to 999V(2kV(1)

0.10V to 20V(80V)(3)

1nA(10pA)(2)  to 50mA

1nA(10pA)(2)  to 3A

1nA(1pA) (2)

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V) (2)

BVDSS

0.10V to 999V(2kV)(1)

1nA to  50mA

1mV

1%+100mV

VGSTH

0.10V to 49.9V

ID: 100uA to 3A

1mV

1%+ 10mV

VDSONVF(VSD)

IDONVGSON

RDSON( 混 合 参 数 )

gFS  (混 合 参 数 )

VDVF

0.10V  to  5.00V  to  9.99V

VGS0.10V  to  9.99V

IFID10uA 

to 49.9A(200A)(5) (1250A)(4)

to 25A(100A) (5) (625A)(4)

IG1nA to 10A

1mV

V    1%+10mV

IFID1%+1nA

IG    1%+5nA

5.7双向可控硅开关器件(双向晶闸管)TRIAC

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IDRM  IRRM

IGKO

0.10V to 999V(2kV)(1)

0.10V to 20V(80V)(3)

1nA(10pA) (2)  to 50mA

1nA(10pA) (2)  to 3A

1nA(1pA)2

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V) (2)

VD+VD-

BVGKO             

0.01V to 999V(2kV) (1)

0.10V to 20V(80V) (3)

1nA  to 50mA

1nA  to 3A

1mV

1%+100mV

1%+10 mV

VT+  VT-

0.10V to  5.00V

to  9.99V

10uA to 49.9A(200A)(5)  (1250A)(4)

to 25A(100A) (5) (625A)(4)

IGT1nA to 10A

1mV

V1%+10mV

IT1%+1nA

IGT1%+5nA

I GT  1/2/3/4

VGT  1/2/3/4

VGT:0.10V  to 20V(80V) (3)

VT: 100mV to 49.9V

IGT  1nA to 3A

RL:12Ω.30Ω.100Ω.EXT

1mV

1nA

1%10mV

1%5nA

IL+IL-

( 间 接 参 数 )

VD:5V  to  49.9V

IL:  100μA  to 3A

IGT: 1nA   to 3A

RL:12Ω,30Ω,100Ω,EXT

N/A

N/A

IH+IH-

VD:5V  to  49.9V

IH:  10uA  to 1.5A

IGT: 1nA  to 3A

RL: 12Ω 30Ω 100Ω EXT

(IAK初值由RL设置 )

1uA

1%+2uA

5.8 单向可控硅整流器(普通晶闸管)SCR

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IDRMIRRM

IGKO

0.10V to 999V(2kV)(1)

0.10V to 20V( 80V)(3)

1nA(10pA)2  to  50mA 1nA(10pA)2

to 3A

1nA(1pA)2

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)2

VDRMVRRM

BVGKO

0.10V to 999V(2kV)(1)

0.10V to 20V( 80V) (3)

1nA  to 50mA

1nA  to 3A

1mV

1mV

1%+100mV

1%+ 10mV

VTM

0.10V to  5.00V

to  9.99V

10μA  to  49.9A(200A)(5)  (1250A)(4)

to 25A(100A) (5) (625A)(4)

1 mV

VT1%+10mV

IT 1%+1nA

I GT

VGT

VD: 5V  to 49.9V

VGT:0.10V to 20V(80V)(3)

VT:100mV to 49.9V

IGT:  1nA to 3A

RL: 12Ω、30Ω、100Ω、

EXT

1 mV

1nA

1%+10mV

1%+ 5nA

IL

 ( 间 接 参 数 )

VD5V  to  49.9V

IL: 100μA  to 3A

IGT: 1nA   to 3A

RL: 12Ω,30Ω,100Ω,EXT

N/A

N/A

IH

VD5V  to  49.9V

IH: 10uA to 1.5A

IGT: 1nA  to 3A

RL: 12Ω 30Ω 100Ω EXT

(IAK初值由RL设置 )

1uA

1%+2uA

5.9 光电耦合器件OPTO-COUPLER

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICOFFICBO

IR

0.10V to 999V(2kV) (1)

0.10V to  20V(80V) (3)

1nA(10pA) (2) to 50mA 1nA(10pA) (2) to 3A

1nA(1pA) (2)

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V) (2)

BVCEO  BVECO

BVCBO

BVEBO

0.10V to 450V( 900V) (1)

to 700V(1.4kV) (1)  to 1kV(2kV) (1)

0.10V to 999V(2kV) (1)

0.10V to  20V(80V) (3)

100μA  to 200mA

to 100mA   to  50mA

1nA(10pA) (2) to 50mA

1nA  to 3A

1mV

1%+100 mV

1%+10mV

CTR(0.01 to 99.999)

hFE (1 to 99.999)

VCESAT     VSAT

VF(Opto-Diode)

VCE: 0.10V to 5.00V(5)

           to 9.99V

           to 49.9V

VF:  0.10V to 9.99V

IC: 10uA

to 49.9A(200A)(5)  (1250A)(4)

to 25A(100A) (5) (625A)(4)       to 3A

IF, IB:  1nA to 10A

0.0001CTR

0.01hFE

VCE:  1%+10mV

IC:  1%+1nA

IF, IB: 1%+5nA

6.10光电开关管OPTO-SWITCH

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICOFF

0.10V to 999V(2kV) (1)

1nA(10pA) (2)   to  50mA

1nA(1pA) (2)

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V) (2)

VD

0.10V to 999V(2kV) (1)

1nA  to  50mA   

1mV

1%+100mV

Notch= IGT1IGT4

VON=VSAT (Coupled)

VD: 0.10V  to 5.00V

 to 9.99V    to  49.9V

IGT1nA to 3A

1mV

  IGT:  1%+5nA

  1%+10mV

ION = IGT1IGT4

IOFF = IGT1IGT4

IGT1nA to 3A

1mV

IGT:  1%+5nA

6.11光电逻辑器件OPTO-LOGIC

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IR

0.10V to 20V(80V) (3)

1nA(10pA) (2)  to 50mA

1nA(1pA) (2)

1%+10nA+10pA/V   (1%+200pA+2pA/V) (2)

VF

0.10V to 20V

IF: 1nA to 10A

1mV

1%+10mV

VOH   VOL

0.10V to 9.99V

1nA to 49.9A

1mV

1%+10mV

IFON   IFOFF

ITH+B  ITH-B

ITH+I   ITH-I

0.10V to 9.90V

1nA to 10A

1mV

1%+10mV

6.12  金属氧化物压变电阻MOV

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ID+   ID-

2.50mV

to 49.9V(100V) (1)

1nA(10pA) (2) to 3A

1nA(1pA) (2)

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)(2)

VN+  VN-

VC+   VC-

0.10V  to 450V( 900V)(1)

to 700V(1.4kV) (1)  to 999V(2kV)(1)

1nA(10pA)(2)   to 200mA

to 100mA  to 50mA

1mV

1%+1%量程

6.13  固态过压保护器SSOVP

测 试 参 数 名 称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ID+   ID-

2.50mV to 1kV(2kV)1

1nA(10pA)(2) to 3A

1nA(1pA)(2)

1%+10nA+10pA/V  (1%+200pA+2pA/V)(2)

VCLAMP+, VCLAMP-

2.50mV to 1kV(2kV)1

10mA to 900mA

1mV

1%+1%量程

VT+VT-

5mV  to  20V

IT1nA  to 49.9A

IB10mA  to 900mA

1mV

V: 1%+10Mv  IT: 1%+1nA   IB1%+5nA

IH+IH-

VHVGS: 100mV to 20V

IH:   10mA  to 1A

1uA

1%+2uA

IBO+   IBO-

VT: 2.50mV to 400V(1)

IB: 10mA  to  900mA

1nA(1pA) (2)

1%+1nA

VBO+  VBO-

2.50mV  to   400V

10mA  to 900mA

1mV

1%+10mV

VZ+  VZ- 

VT+  VT-

2.50mV  to  1kV

5.00mV  to  20V

1nA  to 3A

IT: 1nA  to 49.9A

IB: 10mA  to  900mA

1mV

V: 1%+10mV

6.14  继电器RELAY

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

RCOIL  1Ω to 10kΩ

2.50V   to  999V

10mA  to  3A

0.001Ω

1%+1%量程

VOPER

100mV  to  49.9V

0.1V

1% + 0.1V

VREL 

100mV  to  49.9V

0.1V

1% + 0.1V

RCONT  (10mΩ  to 10kΩ)

2.5mV  to  49.9V

10mA  to 9.90A

0.001Ω

1%+1%量程

OPTIME / RELTIME    ( 100us to 65ms)

2.5mV  to  49.9V

      1us

1%+1%量程

6.15 绝缘栅双极大功率晶体管IGBT

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICES     IGESF

IGESR

0.10V to 999V(2kV)(1)

0.10V to  20V(80V) (3)

1nA(10pA)(2) to 50mA

1nA(10pA)(2) to 3A

1nA(1pA) (2)

1%+10nA+10pA/V

(1%+200pA+2pA/V)(2)

BVCES

0.1V to 450V( 900V)(1)

   to 700V(1.4V)(1)     to  1kV(2kV)(1)

100μA  to 200mA

  To 100mA   to  50mA

1mV

1%+100mV

VGETH

0.10V to 20V(50V) (3)

1nA  to 3A

1mV

1%+10mV

VCESAT    ICON

VGEON    VF

gFS (混合参数)

VCE:0.10V  to 5.00V

            to 9.99V

VGE: 0.10V  to 9.99V

IC:10mA 

to 49.9A(200A)(5)  (1250A)(4)

to 25A(100A) (5) (625A)(4)

IF, IGE: 1nA to 10A

1mV

V: 1%+10mV

IF  IC: 1%+1nA

IGE: 1%+5nA

6.16 硅触发可控硅STS

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

IH+   IH-

VD:2.5mV 

to 1000V(2kV)(1)

IH:   1nA  to 49.9A

RL: 12Ω 30Ω 100Ω EXT   (IAK 初值由RL设置)

1uA

1%+2uA

1%+1%量程

VSW+  VSW-

VPK+  VPK-

VGSW+   VGSW-

0.1V to 20(80V) (3)

1nA  to  10A

1mV

1%+10mV

1%+5nA


6.17 压变电阻VARISTOR

测试参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ID+   ID-

VD:2.5mV  to 1kV(2kV)(1)

1nA  to  3A

1uA

1%+10nA+10pA/V   (1%+10nA+10pA)(2)

V: 1%+1%量程

VC+   VC-

100mV  to 10V

1nA  to  49.9A

1mV

1%+10mV


6.18达林顿阵列DARLINTON

电参数名称

电压范围

电流范围

分辨率

精度

ICBO 

ICEO/R/S/X

IEBO

0.10V to 999V(2kV)(1)

0.10V to  20V( 80V)(3)

100nA(100pA)(2) to 50mA

100nA(100pA)(2) to 3A

1nA(50pA)(2)

1%+10nA+20pA/V

(1%+200pA+2pA/V)(1)

BVCEO/R/E/S

(10mA 以上使用300us 脉冲)

BVCBO

BVEBO

0.10V to 450V( 900V)(1)

to 700V(1.4kV)(1)  to 1kV(2kV)(1)

0.10V to 999V(2kV)(1)

0.10V to 20V(80V)(3)

100nA  to 200mA

to 100mA   to  50mA

100nA  to  50mA

100nA  to 3A

5mV

1%+100mV

1%+10mV

hFE

(1 to 99,999) 

VCE:0.10V to  5.00V(5)

          to  9.99V

          to  49.9V

IC:10uA to 49.9A(200A)(5)

(1250A)(4) to 25A(100A) (5) (625A)(4)  to 3A

IB: 100nA to 10A

0.01hFE

VCE:  1%+10mV

IC:  1%+100nA

IB:  1%+5nA

VCESAT, VBESAT

VBE(VBEON)

VCE:0.10V to  5.00V

to  9.99V

VBE:0.10V to  9.99V

IE:10uA to 49.9A(250A)4

to 25A  (125A)4

IB: 100nA  to 10A

5mV

V: 1%+10mV

IE:1%+100nA

IB:1%+5nA







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