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石家庄市薄膜活化类技术厂家

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  [CS8159-0205-0001] 具有波浪形深沟的半导体装置及制作波浪形深沟的方法 
[摘要] 本发明提供一种具有波浪形深沟的半导体装置以及波浪形深沟制作方法。本发明的波浪形深沟设于一基底的表面,包含有一底边以及一侧壁,该侧壁设于该底边与该基底表面之间。该侧壁包含有正斜率(positive slope)的*侧壁以及负斜率的第二侧壁,且该*侧壁与该第二侧壁相互交错的出现于该侧壁上。
  [CS8159-0171-0002] 半导体装置及有源矩阵型显示装置 
[摘要] 本发明谋求由激光退火进行的多晶化的均衡化。在驱动器内装型有源矩阵型显示装置等中的透明基板上的一部分区域上形成金属层(32),具备缓冲层(11)使之覆盖金属层(32)的形成区域及非形成区域的每一个。在该缓冲层(11)之上、且在金属层的形成区域上配置第1多晶硅膜,在非形成区域上配置第2多晶硅膜。缓冲层(11)具备充分的膜厚和热容量,加大有源层与其下层金属层的层间距离,能够缓和由金属层引起的热漏泄。因此,通过对成膜于缓冲层(11)上的非晶硅膜进行设定成同一条件的激光退火,能够分别得到适宜颗粒尺寸的第1以及第2多晶硅膜。
  [CS8159-0168-0003] 电力半导体器件

在n型基极层1的一面上形成p型基极层7。在p型基极层7的表面上形成n型发射极层8。在n型基极层1的另一面上形成p型集电极层2。在n型发射极层8和p型基极层7上形成发射极电极9。对n型发射极层8形成贯通p型基极层7到达n型基极层1的沟槽4,在该沟槽4内形成沟槽栅极电极6。因而n型基极层1与p型基极层7接连一侧的浓度变低,与p型集电极层接连一侧的浓度变高,具有在厚度方向上连续变化的浓度梯度,就可以把p型集电极层2的厚度形成为1微米以下。
  [CS8159-0218-0004] 具有垫缘强化结构的接线垫 
[摘要] 一种半导体组件封装接线用的接线垫包括:一金属接线垫,形成于一介电层的边缘部分所围绕的一开放窗口区域中且部份形成于介电层的边缘部份之上;及至少一个树枝状子结构,形成于介电层的至少部分边缘上,它由金属材料形成并自金属接线垫下方侧向延伸出。由于在金属接线垫层及位于树枝状子结构中的介电层之间形成垂直延伸接触表面,因此扩大了接触面积而增强附着力;树枝状子结构在介电层的边缘部分不连续可有效截断而防止形成裂缝。
  [CS8159-0070-0005] 具有改善了电流的输入耦合性能的表面结构光辐射二极管 
[摘要] 由一个发光层(20)和一个比较厚的透明的电流耗散层(30)构成的光辐射二极管(100)发出的光信号的输出因电流耗散层(30)表面的垂直结构而得到了改善,与此同时因第二个电接触层(a second electrical contact layer,eine zweiteelektrische Kontaktschicht)(50)有一个分布式侧面的结构,(a distributed lateralstructure,eine verteilte laterale struktur)而使得电流耗散层(30)中电流的输入耦合基本实现了均匀。
  [CS8159-0037-0006] 半导体器件的制造方法 
[摘要] 本发明提供一种制造半导体器件的方法,该方法包括能确认形成在阵列衬底上的电路或电路元件是否正常运行的非接触检测工艺,并通过*浪费以保持缺陷产品形成,能降低制造成本。利用形成在检验衬底上的初级线圈和形成在阵列衬底上的次级线圈整流和整形由电磁感应产生的电动势,由此将电源电压和驱动信号输送给TFT衬底上的电路或电路元件,以便驱动它。
  [CS8159-0127-0007] 制造半导体器件的方法 
[摘要] 用于制造一个半导体器件的一个方法,包括准备多个批次,每一个批次包括需要被进行处理的半导体衬底,多个批次包括至少*和第二批次,使用一个半导体制造装置来处理多个批次中的每一个批次,在对第二个批次进行处理以前,判断是否需要对半导体制造装置进行清洗,这取决于需要被处理的*批次的*处理类型和在*批次后需要被处理的第二批次的第二处理类型,和在第二批次不需要进行清洗的情形下不进行清洗来对第二批次进行处理。
  [CS8159-0076-0008] 钛酸钡薄膜的生长方法 
[摘要] 本发明乃揭示一种钛酸钡薄膜之生长方法,其特征主要是利用藉由掺混*钡水溶液与六氟钛酸水溶液,产生钛酸钡溶液,然后再加入*水溶液,形成钛酸钡薄膜生长液,利用此生长液便可于低温环境中成长具有高介电系数、低漏电流和耐崩溃等电特性之钛酸钡介电材料层。
  [CS8159-0129-0009] 根据有关装置的信号诊断其装置故障的装置 
[摘要] 从多个传感器输入有关某装置的多个传感器信号。算出该传感器信号的每个组合的识别空间的标量距离。根据该标量距离是否包括在每个该组合的该识别空间的正常范围内,输出每个该组合的多个标志信号。根据每个该组合的该标志信号,判定该装置的故障。
  [CS8159-0010-0010] 半导体器件的制造方法 
[摘要] 本发明的目的是提供一种半导体器件的制造方法,可以在控制其电阻增加的同时提高互连寿命,另外,可以提高制造稳定性;用包括氮元素的源气,通过对铜互连17的表面进行等离子处理,形成氮化铜层24,此后形成氮化硅膜18。在氮化铜膜24下,形成薄的硅化铜层25。
  [CS8159-0206-0011] 制造绝缘层和半导体器件的方法及由此形成的半导体器件
  [CS8159-0111-0012] 具有受控制的小型环境的晶片大气压输送组件
  [CS8159-0133-0013] 半导体器件的制造方法和半导体器件
  [CS8159-0051-0014] 高速大容量快闪固态存储器结构及制作方法
  [CS8159-0137-0015] 集成电路硅衬底抛光片表面吸附粒子吸附状态的控制方法
  [CS8159-0158-0016] 环形半导体控制整流器组件

  [CS8159-0192-0017] 半导体存储器中高速读出操作的方法和装置
  [CS8159-0148-0018] 用于评估多晶硅薄膜的装置
  [CS8159-0062-0019] 化学机械抛光后半导体表面的清洗溶液
  [CS8159-0099-0020] 利用二极管触发的静电放电保护电路
  [CS8159-0102-0021] 具有电流均匀分布特性的静电放电防护布置方法
  [CS8159-0094-0022] 复合材料及其应用
  [CS8159-0130-0023] 减少微影制程旁瓣的方法
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  [CS8159-0134-0036] 缩小接触窗开口尺寸的微影工艺

  [CS8159-0064-0037] 封装钨栅极MOS晶体管与存储单元及其制造方法
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