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在n型基极层1的一面上形成p型基极层7。在p型基极层7的表面上形成n型发射极层8。在n型基极层1的另一面上形成p型集电极层2。在n型发射极层8和p型基极层7上形成发射极电极9。对n型发射极层8形成贯通p型基极层7到达n型基极层1的沟槽4,在该沟槽4内形成沟槽栅极电极6。因而n型基极层1与p型基极层7接连一侧的浓度变低,与p型集电极层接连一侧的浓度变高,具有在厚度方向上连续变化的浓度梯度,就可以把p型集电极层2的厚度形成为1微米以下。 |
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注册资金:100万以下
联系人:姜超
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