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Low Power低功耗SRAM  VTI309NB36TM Low Power低功耗SRAM  VTI309NB36TM Low Power低功耗SRAM  VTI309NB36TM Low Power低功耗SRAM  VTI309NB36TM

Low Power低功耗SRAM  VTI309NB36TM

[存储芯片

sram芯片

sram]

深圳市VTI309NB36TM厂家

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[存储芯片 sram芯片 sram]

Low Power低功耗SRAM  VTI309NB36TM
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详细信息(Low Power低功耗SRAM  VTI309NB36TM)
  • 品牌: Vilsion
  • 型号: VTI309NB36TM
  • 类型: 存储器
  • 存储容量: 9M bit
  • 针脚数: 48/44
  • 用途: 电脑
  • 功率: 3.3
  • 批号: 18+
  • Org.: 256K x 36
Low Power低功耗SRAM VTI309NB36TM

sram芯片属于静态随机存储器,一般用于中高端的产品,体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。

RAM (Random Access Memory随机存贮器)是指通过指令可以随机地、个别地对每个存储单元进行访问、访问所需时间基本固定、且与存储单元地址无关的可以读写的存储器。几乎所有的计算机系统和智能电子产品中,都是采用RAM作为主存。而SRAM属于ram中较为典型的存储芯片类型,适用于纽扣电池供电的高速和超低功耗的应用,如手持式扫描仪、掌上电脑、多功能蜂窝电话、机顶盒和WLAN等。


英尚微电子中国区*的授权代理:VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; *半导体品牌的专业分销商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。


Density Org. Temp. Vcc(V) Frequency(MHz) Package Packing Status P/N
4M bit  128K x 36  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI304NA36TM
4M bit  256K x 18  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI304NA18TM
9M bit  256K x 36  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI309NA36TM
9M bit  512K x 18  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI309NA18TM
18M bit  512K x 36  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI318NA36TM
18M bit  512K x 36  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI318NA36LM
18M bit  1M x 18  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI318NA18TM
18M bit  1M x 18  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI318NA18LM
36M bit  1M x 36  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI336NA36TM
36M bit  1M x 36  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI336NA36LM
36M bit  2M x 18  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI336NA18TM
36M bit  2M x 18  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI336NA18LM
72M bit  2M x 36  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI372NA36TM
72M bit  2M x 36  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI372NA36LM
72M bit  4M x 18  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI372NA18TM
72M bit  4M x 18  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI372NA18LM

Density Org. Temp. Vcc(V) Frequency(MHz) Package Packing Status P/N
4M bit  128K x 36  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI304NA36TM
4M bit  256K x 18  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI304NA18TM
9M bit  256K x 36  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI309NA36TM
9M bit  512K x 18  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI309NA18TM
18M bit  512K x 36  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI318NA36TM
18M bit  512K x 36  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI318NA36LM
18M bit  1M x 18  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI318NA18TM
18M bit  1M x 18  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI318NA18LM
36M bit  1M x 36  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI336NA36TM
36M bit  1M x 36  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI336NA36LM
36M bit  2M x 18  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI336NA18TM
36M bit  2M x 18  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI336NA18LM
72M bit  2M x 36  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI372NA36TM
72M bit  2M x 36  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI372NA36LM
72M bit  4M x 18  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI372NA18TM
72M bit  4M x 18  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI372NA18LM

标签: 存储芯片 sram sram   存储芯片 sram芯片 sram   深圳市VTI309NB36TM   深圳市VTI309NB36TM厂家
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