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Vilsion一级代理高速sram存储器 VTI336NA18TM

[存储芯片

sram芯片

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深圳市VTI336NA18TM厂家

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Vilsion一级代理高速sram存储器   VTI336NA18TM
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详细信息(Vilsion一级代理高速sram存储器 VTI336NA18TM)
  • 品牌: Vilsion
  • 型号: VTI336NA18TM
  • 类型: 存储器
  • 存储容量: 36M bit
  • 针脚数: 48/44
  • 用途: 电脑
  • 功率: 3.3
  • 批号: 18+
  • Org.: 2M x 18
Vilsion一级代理高速sram存储器VTI336NA18TM


存储器(Memory)是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器*的位置存入和取出信息。
存储器的构成
构成存储器的存储介质,目前主要采用半导体器件和磁性材料。存储器中最小的存储单位就是一个双稳态半导体电路或一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元,它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器。 一个存储器包含许多存储单元,每个存储单元可存放一个字节。每个存储单元的位置都有一个编号,即地址,一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数(即5位十六进制数)组成,则可表示220,即1M个存储单元地址。每个存储单元存放一个字节,则该存储器的存储容量为1KB。

SRAM存储器主要有一下特点:
1. 存储容量: 存储单元个数M×每单元位数N
2. 存取时间:从启动读(写)操作到操作完成的时间
3. 存取周期:两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间
4. 平均故障间隔时间MTBF(可靠性)
5. 功耗:动态功耗、静态功耗

英尚微电子中国区*的授权代理:VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; *半导体品牌的专业分销商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。


Density Org. Temp. Vcc(V) Frequency(MHz) Package Packing Status P/N
4M bit  128K x 36  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI304NA36TM
4M bit  256K x 18  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI304NA18TM
9M bit  256K x 36  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI309NA36TM
9M bit  512K x 18  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI309NA18TM
18M bit  512K x 36  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI318NA36TM
18M bit  512K x 36  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI318NA36LM
18M bit  1M x 18  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI318NA18TM
18M bit  1M x 18  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI318NA18LM
36M bit  1M x 36  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI336NA36TM
36M bit  1M x 36  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI336NA36LM
36M bit  2M x 18  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI336NA18TM
36M bit  2M x 18  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI336NA18LM
72M bit  2M x 36  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI372NA36TM
72M bit  2M x 36  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI372NA36LM
72M bit  4M x 18  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI372NA18TM
72M bit  4M x 18  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI372NA18LM

Density Org. Temp. Vcc(V) Frequency(MHz) Package Packing Status P/N
4M bit  128K x 36  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI304NA36TM
4M bit  256K x 18  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI304NA18TM
9M bit  256K x 36  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI309NA36TM
9M bit  512K x 18  C,I 3.3 250 100TQFP  Tray MP VTI309NA18TM
18M bit  512K x 36  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI318NA36TM
18M bit  512K x 36  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI318NA36LM
18M bit  1M x 18  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI318NA18TM
18M bit  1M x 18  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI318NA18LM
36M bit  1M x 36  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI336NA36TM
36M bit  1M x 36  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI336NA36LM
36M bit  2M x 18  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI336NA18TM
36M bit  2M x 18  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI336NA18LM
72M bit  2M x 36  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI372NA36TM
72M bit  2M x 36  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI372NA36LM
72M bit  4M x 18  C,I 3.3 250 100TQFP Tray MP VTI372NA18TM
72M bit  4M x 18  C,I 3.3 250 165FBGA  VTI372NA18LM

标签: 存储芯片 sram sram   存储芯片 sram芯片 sram   深圳市VTI336NA18TM   深圳市VTI336NA18TM厂家
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