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*基二极管
*基二极管分为有引线和表面安装(贴片式)两种封装形式。 采用有引线式封装的*基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管(双二极管)式两种封装形式。*基对管又有共阴(两管的负极相连)、共阳(两管的正极相连)和串联(一只二极管的正极接另一只二极管的负极)三种管脚引出方式。
采用表面封装的*基二极管有单管型、三管型等多种封装形式,*基二极管厂,有A~19种管脚引出方式。
*基二极管作用
*基二极管*基(Schottky)二极管,又称*基势垒二极管(简称 SBD),它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒),正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管,白山*基二极管,也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。
*基二极管
为解决SBD在高温下易产生由金属-半导体的整流接触变为欧姆接触而失去导电性这一*基势垒的退化问题,APT公司通过退火处理,形成金属-金属硅化物-硅势垒,从而提高了*基势垒的高温性能与可靠性。*基二极管参数ST公司研制的150VSBD,是专门为在输出12V~24V的SMPS中替代200V的高频整流FRED而设计的。像额定电流为2×8A的STPS16150CT型SBD,*基二极管贴片,起始电压比业界居*水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值为0.47V),导通电阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值为40mΩ),导通损耗低0.18W(典型值为1.14W)。