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电力半导体器件的比较
电力半导体器件的主要性能参数为电压、电流和工作频率三项指标,通过这三项指标的
比较可以清楚地说明各种器件的优势和各自的应用范围。
一般来说,SCR、GTO等属于高压、大电流器件,活塞空压机,但开关频率较低;功率晶体管BJT
与IGBT居中,工作频率较高,并且IGBT已能覆盖BJT;MOSFET工作频率高,大化空压机,但容
量相对较低,而一些新型器件如SITH、MCT等则在各方面均有较大潜力,表13列出了
各全控型器件的性能比较。
上的变流系统领域。由于IGBT性能优良,已面取代了功率晶体管而成为中小容量电力变
流装置中的主力器件,DMG空压机,在中小功率、低噪音和高性能的电源、逆变器、不间断电源 (UPS)
和交流电机调速系统的设计中,得到广泛应用。同时IGBT的单管容量也不断提高,并开始
进入中大容量电力变流装置中。目前IGBT单管容量已达到400A/1700V。