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铝电解电容损失角,又称散逸因素,代号DF,长寿命电解电容器,是负电荷经负极及电解液传至化成膜表面所消耗的这一部分电能,通俗地说:DF=tanØ=ESR/XC,式中ESR为电容等效串联内阻,XC为容抗,XC=1/2πFC,式中F为测试频率,C为电容器静电容量。
损耗角的正切(TAN),相当于无功功率和有功功率的比值,这个值跟电容的品质以及发热量有关系,这个值越小电容性能越好。.漏电流值:无论绝缘体多大,总是会有细微的电流漏过电容,常平长寿命电解电容器,这个值则代表具体漏过的多少。 此外,ESL特性也是电容的性能指标之一。但是随着电容技术的发展,现在的gao档电解电容,其ESL特性一般都很好,黄江长寿命电解电容器,到10MHz、20MHz以上的时候往往才能体现出区别,因此也就失去了比较的意义。
我们在实际测试中,所用仪表一般为LCR表,其内部之方法实际上为阻抗量测方式,所以称为阻抗表,其方法为先测出阻抗之大小及角度,再利用此参数去计算DF值等其它参数。-
我们知道同一批电容之静电容量误差可达±20%,当ESR相同时,DF却有±20%之变数,同时电容器DF值与ESR成正比且直接影响寿命,DF却不能直接反映电容器之损失。-
在频率测试上,我们应关心高频之损失,ESR随频率增加而减小,代表损失减少,然而DF却因频率增加而增加,完全不能反映电容器实际之损失,故参数之量测应以ESR或│Z│为主才是。
阻抗之绝dui值│Z│=√ (ESR2 +XC2),所以相对角Ø= -tan﹣1(XC/ESR)-
现在电子技术正朝着低电压高电流电路的设计方向发展,供应给元器件的电压呈现越来越低的趋势,但对功率的要求却丝毫没有降低。按P=UI的公式来计算,要获得同样的功率,电压降低了,那就必须得增大电流。例如INTEL、AMD的*新款CPU,电压均小于2V,和以前3、 4V的电压相比低得多。但另一方面这些芯片由于晶体管和频率的激增,需求的功耗却是增大了许多,对电流的要求就越来越高了。例如两颗功率都是70W的CPU,前者电压是3.3V,后者电压是1.8V。那么,前者的电流
I=P/U=70W/3.3V=21.2A;而后者的电流I=P/U=70W/1.8V=38.9A,清溪长寿命电解电容器,将近是前者电流的两倍。在通过电容的电流越来越高的情况下,假如电容的ESR值不能保持在一个较小的范围,那么就会产生更高的纹波电压(理想的输出直流电压应该是一条水平线,而纹波电压则是水平线上的波峰和波谷),因此就促使工程师在设计时,要使用*小的ESR电容器。
ESR值与纹波电压的关系可以用公式V=R(ESR)×I表示。这个公式中的V就表示纹波电压,而R表示电容的ESR,I表示电流。可以看到,当电流增大的时候,即使在ESR保持不变的情况下,纹波电压也会成倍提高,因此采用更低ESR值的电容是势在必行的。